Порой меня охватывает настоящая досада, когда в очередной раз натыкаюсь на растиражированное клише: мол, Советский Союз безнадёжно плёлся в хвосте у американской электроники, даже транзистор-то освоил с опозданием. Это не просто упрощение, а самое настоящее заблуждение, которое искажает картину технологической гонки середины XX века. Мне захотелось не просто возразить, а разложить всё по полочкам, опираясь на факты и логику, чтобы раз и навсегда отделить зерна истины от плевел пропаганды.
Когда я смотрю на первые серийные советские транзисторы, меня не покидает ощущение, что передо мной не просто детали, а материализованная мысль, прошедшая свой уникальный путь. Общепринятая версия гласит, что точкой отсчета стал 1947 год и лаборатория Bell Labs, где Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн, по легенде, случайно перепутали полярность источника питания и обнаружили эффект усиления. Красивая история, но она лишь верхушка айсберга. Почему это открытие не случилось раньше и что за загадочный макет был у американцев в руках? Углубляясь в детали, понимаешь, что официальная хронология — это тщательно отредактированная версия, где многие неудобные факты остались за кадром.
Истоки: кто на самом деле заложил фундамент
Мне особенно обидно читать уничижительные байки о том, что у первого советского транзистора якобы была только «мама». Это не просто безграмотность, а намеренное принижение колоссального труда. В реальности всё обстояло с точностью до наоборот. СССР не пошёл по пути наименьшего сопротивления, закупая американскую лицензию. Вместо этого страна сделала ставку на собственную научную школу и фундаментальные исследования, которые, к слову, американцы сами активно изучали.
Первый в мире точечный транзистор был продемонстрирован в Bell Telephone Laboratories 21 декабря 1947 года, а публикация в The Physical Review вышла лишь в июле 1948-го. Однако уже через четыре месяца, 15 ноября 1948 года, в советском журнале «Вестник информации» появилась статья Александра Викторовича Красилова «Кристаллический триод». Это говорит о том, что параллельная работа шла полным ходом, а не началась после новостей из-за океана. Ключевой фигурой здесь стал именно Красилов, переведённый в 1943 году во фрязинский «НИИ-160». Именно под его руководством в декабре 1948 года дипломница Московского химико-технологического института Сусанна Мадоян начала первую научно-исследовательскую работу по транзисторам, озаглавленную «Исследование материалов для кристаллического триода». Сегодня её вклад признан основополагающим для создания первого советского полупроводникового усилителя. А уже в начале 1950-х дипломники Красилова, Ф. А. Щиголь и Н. Н. Спиро, ежедневно выпускали десятки точечных транзисторов типа С1–С4, что говорит о переходе от теории к пусть мелкосерийной, но практике.
Триумф теории и провал «шаманства»
Размышляя о дальнейших событиях, я всё больше утверждаюсь в мысли, что главное преимущество СССР лежало не в слепом копировании, а в глубоком теоретическом осмыслении процессов. Пока американские инженеры, по признанию самого Шокли, в течение десятилетия полагались на «непостижимое шаманство» и метод проб и ошибок, советская школа под руководством Красилова разрабатывала стройную научную базу. Именно Красилов создал методы диффузии легирующих примесей в кристаллы германия и кремния, а также эпитаксиального наращивания — технологии, без которых массовое производство было немыслимо.
К чему привело отсутствие теории у американцев, видно на множестве примеров. Компания CBS-Hytron запустила производство точечных транзисторов в 1951 году, но уже через год свернула его из-за невозможности добиться стабильного качества. Philips, получив лицензию раньше других благодаря довоенным связям с Bell, годами не могла наладить серийный выпуск и лишь в 1953-м начала производить незначительные партии одновременно с более совершенными сплавными моделями. Aircraft и вовсе отказалась от проекта после безуспешных попыток делать транзисторы из отдельных зёрен поликристаллического германия. Правительство США даже потребовало от AT&T в 1951 году бесплатно раздать лицензии, и к лету 1952-го их купили 26 американских и 14 иностранных компаний по 25 тысяч долларов каждая. Однако массового успеха это не принесло, потому что без понимания физики процесса воспроизвести технологию оказалось почти невозможно.
В это же время в СССР серия плоскостных триодов «Плоскость», завершённая в сентябре 1953 года, стала настоящим прорывом. Этот проект лёг в основу серийных приборов П1, П2, П3 и их модификаций. А ведь американский физик Джон Бардин, чьи труды легли в основу magnum opus Шокли, сам активно изучал работы советских учёных В. Е. Лашкарёва и К. М. Косогоновой, в частности их «Исследование запирающих слоёв методом термозонда». Именно Лашкарёв разработал теорию «запирающего слоя», которую так элегантно «переоткрыли» на Западе. Более того, Bell Labs, делясь с коллегами образцами кремния, предоставляла исключительно материал p-типа, эксперименты с которым заводили в тупик, что наводит на мысли о недобросовестной конкуренции.
От «Спутника» до «Рыжика»: материальное превосходство
Лучшим доказательством зрелости технологии для меня всегда служат конечные изделия. Первый советский транзисторный приёмник «Спутник», выпущенный Воронежским радиозаводом в 1957 году и названный в честь прорыва в космосе, стал мировой сенсацией. Он был удостоен Золотой медали на Всемирной выставке в Брюсселе EXPO-58. Этот успех был бы невозможен без надёжной элементной базы. Американский же Regency TR-1, хоть и появился раньше, патент на него был получен в 1959 году, страдал от несовершенства транзисторов: требовал низкой промежуточной частоты 262 кГц и специальной батареи с повышенным напряжением 22,5 В, что делало его эксплуатацию неудобной и дорогой.
Апофеозом же технологического развития стал знаменитый эпитаксиально-планарный транзистор, ласково прозванный «Рыжиком». Для меня и тысяч радиолюбителей это не просто деталь, а символ эпохи, когда отечественная промышленность совершила настоящий скачок. Освоение эпитаксиально-планарной технологии при активной поддержке министра электронной промышленности Александра Шокина позволило перейти от сплавных и диффузионных методов к массовому производству высококачественных приборов для бытовой техники. Линии по производству таких транзисторов начали поставляться на экспорт, что само по себе опровергает миф о технологической отсталости. Технологический прогресс часто становился ареной для драматических столкновений и неожиданных поворотов, и история транзистора — яркий тому пример.
Кстати, о книге Шокли «Теория электронных полупроводников», вышедшей в русском переводе в 1953 году. Она стала настольной для инженеров по обе стороны океана, однако описывала плоскостной транзистор, который сам Шокли создать так и не смог. Физическая сущность первого точечного транзистора Бардина и Браттейна до сих пор остаётся предметом споров, а сам первый образец утрачен, подобно многим технологиям, связанным с американской лунной программой. Американцы, даже имея чертежи, не сумели построить теорию точечного транзистора и кристадина Лосева. Сотрудники Bell Labs, безусловно, штудировали труды советских физиков А.Ф. Иоффе и Б.И. Давыдова, и именно в декабре 1947 года представили устройство, название которому дали от слов transconductance и varistor.
В моей коллекции есть разные артефакты, включая «транзисторы самого Теслы», и глядя на них, я понимаю, насколько извилистым был путь технической мысли. Советские приборы в корпусах, напоминающих американские, выпускались десятилетиями и стали привычной частью аппаратуры. Что же касается подлинного праотца всех полупроводниковых усилителей, Олега Лосева, то его трагическая история — это тема для отдельного разговора, полного горечи и восхищения перед гением, опередившим время. Не менее драматичны и шпионские страсти вокруг «Транзистрона» немецкого физика Герберта Матаре, изобретателя «дуодиода». В январе 1945 года он бежал от советского наступления на запад, попал в плен к американцам, а в 1946 году французские и британские агенты разыскали его и Велкера, допросили о немецких радарных разработках и переманили во французское отделение Westinghouse.
Подводя итог, я убеждена, что история создания транзистора — это не гонка за лидером, а два параллельных, но принципиально разных пути. Один — путь эмпирических проб, случайных находок и последующего теоретического обоснования, другой — путь глубокого научного предвидения и инженерного расчёта. И утверждать, что СССР просто скопировал чужое изобретение, значит расписываться в незнании фактов. Советская электроника не догоняла, она шла своим курсом, зачастую прокладывая фарватер для всей мировой индустрии.